SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI)용 고성능 메모리인 HBM4(고대역폭 메모리 4)의 개발을 마무리하고 세계 최초로 양산 체제를 구축했다. 데이터 전송 속도와 전력 효율에서 기존 제품을 크게 상회한 이번 성과는 AI 반도체 시장 주도권 경쟁에서 중요한 전환점이 될 것으로 보인다.
HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해, 기존 메모리 대비 데이터 처리 속도를 대폭 향상시킨 고부가가치 제품이다. AI 반도체를 구성하는 핵심 부품으로, 대량의 연산을 동시에 처리해야 하는 AI 서버나 데이터센터에서 필수적이다. 특히 최근 들어 AI 모델의 고도화로 데이터량과 연산 요구가 폭증하면서, 기존 메모리의 속도와 전력 문제를 해결할 차세대 솔루션이 절실한 상황이었다.
이번에 SK하이닉스가 양산을 시작한 HBM4는 이전 세대(HBM3E) 대비 구조적·물리적으로 큰 진전을 이뤘다. 데이터 전송 통로인 I/O 수가 2,048개로 두 배 늘어나면서 대역폭도 두 배 향상됐다. 동시에 전력 효율은 40% 이상 개선돼, 같은 전력으로 훨씬 더 많은 데이터를 처리할 수 있게 됐다. 이는 곧 AI 성능의 극적인 향상과 데이터센터 운영 비용 감소로 이어질 수 있다. 실제로 SK하이닉스는 이 제품을 도입할 경우 AI 시스템 성능이 최대 69% 향상될 수 있다고 평가하고 있다.
뿐만 아니라, HBM4는 국제반도체표준협의기구(JEDEC)의 기준 속도보다 높은 10기가비트 이상의 동작 속도를 구현했다. 이는 현재 시장에서 요구되는 최고 수준의 기술 스펙을 넘어서는 수준으로, 향후 AI 수요의 고도화에도 대응 가능한 경쟁력을 의미한다. 제품 생산에는 SK하이닉스의 독자 기술인 '어드밴스드 MR-MUF' 공정과 10나노급 최신 D램 기술이 적용돼, 수율과 신뢰성 면에서도 안정성을 확보했다.
SK하이닉스는 이번 성과를 계기로 AI 메모리 분야에서 공급 속도와 기술 완성도 측면 모두에서 경쟁사보다 한발 앞서나가게 됐다. 회사 측은 앞으로 다양한 성능군의 메모리 제품을 차례로 선보이며, AI 시대에 맞춘 풀 스택 메모리 공급 역량을 강화해 나갈 계획이다.
이 같은 흐름은 전 세계적으로 AI 인프라 수요가 폭발적으로 증가하는 상황에서 HBM 시장을 선도하는 데 결정적인 기점이 될 것으로 보인다. 향후 주요 글로벌 반도체 및 IT 기업들이 차세대 AI 칩에 고성능 메모리를 적극 채택하게 되면, SK하이닉스의 기술 우위는 수익성과 시장 지배력 면에서 더 확실한 결실로 이어질 수 있다.
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