중국 CXMT, EUV 없는 본딩 DRAM 시험생산 테스트
출처: 오데일리. 시트리니 애널리스트 주칸은 X를 통해 중국 창신메모리(CXMT)가 허페이에서 본딩 DRAM 시험 생산 라인을 테스트 중이라고 전했다.
본딩 DRAM은 메모리 셀 배열과 주변 회로를 각각 다른 웨이퍼에서 만든 뒤 결합하는 기술이다. EUV 노광 장비 없이 DUV 다중 패터닝으로 고밀도 DRAM을 생산하는 방식이다.
앞서 삼성전자는 ‘B1b’ 프로젝트로 자체 본딩 DRAM을 개발 중이며, SK하이닉스도 유사 기술을 추진하고 있다. 한국 언론은 CXMT가 기술 자체와 개발 속도에서 한국 경쟁사보다 앞설 수 있다는 평가가 나온다고 전했다.
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