일본 반도체 기업 라피더스(Rapidus)의 2028년 3월까지 2나노 칩 양산 목표에 차질이 생길 수 있다는 보도가 나왔다.
블룸버그(Bloomberg)는 10일 익명 관계자들을 인용해 라피더스가 작동하는 SRAM 셀을 아직 만들지 못했다고 보도했다(기사). 관계자들은 양산에 필요한 안정적인 SRAM 생산 기술을 여름까지 확보하지 못해 일정이 계획보다 최소 수개월 늦어졌다고 전했다. 공장 청정실의 먼지와 미세 입자 관리도 과제로 꼽았다.
2나노급 로직 칩에는 반도체 안에 SRAM 셀이 수억 개 들어간다. 각 셀의 트랜지스터 구조를 원자 수준의 정밀도로 재현해야 칩이 안정적으로 작동하고 데이터를 저장할 수 있다. 트랜지스터의 전기적 작동을 확인하는 것과 다수의 SRAM 셀을 안정적으로 구현하는 것은 서로 다른 개발 단계다.
라피더스는 2025년 4월 홋카이도 지토세의 IIM-1 공장에서 시험생산 라인을 가동했고, 같은 해 7월 2나노 GAA 트랜지스터 시제품의 전기적 특성을 확인했다고 회사 연혁에 기록했다. 10월 5일에는 설계 기업 17곳과 고객의 초기 설계를 지원하는 협력망을 공개했다. 라피더스의 설계 지원망 구축과 관련된 내용으로, 협력망 공개는 SRAM 셀 구현과는 별개의 단계다(회사 발표).
라피더스 대변인은 “2027회계연도 하반기 양산 개시를 위해 계속 전력을 다하고 있다”고 말했다. 회사는 세부 기술 개발 내용은 기밀이라고 밝혔으며, 정부기관이 위촉한 외부 전문가들이 9월 개발이 진행 중이라고 평가했다고 설명했다.
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