삼성전자 NRD-K2, 차세대 HBM 전환 보도
삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 수요 확대에 맞춰 NRD-K2 라인을 맞춤형 HBM(cHBM)과 HBM5 베이스 다이 생산용으로 전환·증설할 계획이라는 보도가 나왔다.
블록비츠는 14일 삼성전자가 NRD-K2 라인을 차세대 HBM 관련 생산으로 돌려 cHBM과 HBM5용 베이스 다이 물량을 늘릴 방침이라고 전했다.
구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장 부사장은 7월 27일 삼성전자 반도체 뉴스룸 인터뷰에서 “HBM5 베이스 다이에는 GAA 구조를 사용하는 2나노 공정을 적용하고 더욱 높은 집적도의 실리콘관통전극(TSV)을 구현할 예정”이라고 밝혔다. 그는 HBM5의 동작 속도가 HBM4E보다 50% 이상 향상될 것으로 예상된다고 설명했다.
베이스 다이는 적층 D램과 그래픽처리장치(GPU)·중앙처리장치(CPU) 등 외부 프로세서를 연결하는 로직 반도체다. 이번 라인 전환·증설 계획이 실제 생산 물량과 고객 공급 일정에 미칠 영향은 추가 확인이 필요하다.
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