테일러 2공장 HBM 수주 보도…삼성전자($005930)·AMD($AMD)·엔비디아($NVDA) 물량 거론

삼성전자($005930)가 미국 텍사스주 테일러 2공장에서 AMD($AMD)와 엔비디아($NVDA)에 공급할 고대역폭메모리(HBM) 베이스 다이를 생산할 계획이라는 보도가 나왔다.

매일경제는 2026년 11월 3일 오후 5시 46분(KST) 보도에서 익명 업계 관계자를 인용했다. 보도는 테일러 2공장 생산능력 전량이 AMD와 엔비디아에 공급할 HBM 베이스 다이 물량으로 수주됐고, 대부분이 AMD용이라고 전했다. 고객별 물량과 계약 규모는 제시하지 않았다. 매일경제는 2026년 11월 3일 오후 5시 46분(KST) 보도에서 익명 업계 관계자를 인용해 테일러 2공장에 2나노 공정을 적용하고 270만제곱피트(약 25만㎡·1공장의 약 1.5배) 규모로 조성하며, 2029년 2월부터 설비를 반입할 계획이라고 보도했다.

삼성전자 관계자는 고객사에 관한 질문에 “고객 관련 내용은 확인이 어렵다”고 말했다.

삼성전자는 10월 29일 발표한 3분기 실적에서 HBM 베이스 다이 매출 성장과 선단 공정 판매 확대가 파운드리 실적 개선에 기여했다고 밝혔다.

삼성전자는 대형 하이퍼스케일러를 포함한 2나노 고성능컴퓨팅(HPC) 고객 수주도 언급했다. 고객사 이름이나 이 수주가 테일러 2공장 물량인지는 밝히지 않았다.

HBM 베이스 다이는 HBM 스택에 들어가는 로직 다이다.

삼성전자는 2월 양산을 발표한 HBM4에 4나노 로직 베이스 다이를 적용했다. 이 기술은 현재 HBM4에 관한 것으로, 테일러 2공장에 2나노 공정을 적용한다는 보도를 확인해 주지는 않는다.

보도대로라면 삼성전자는 미국에서 생산한 베이스 다이를 국내에서 제조한 D램과 결합해 완성된 HBM을 고객사에 공급한다.

따라서 이번 보도는 테일러 2공장에서 AMD나 엔비디아의 완성된 프로세서를 생산한다는 뜻이 아니다. 생산 대상으로 거론된 것은 HBM 구성 요소인 베이스 다이다.

삼성전자와 AMD는 3월 차세대 AI 메모리·컴퓨팅 기술 협력 양해각서(MOU)를 체결했다. 협력 대상에는 AMD 인스팅트(Instinct) MI455X 가속기에 들어갈 HBM4 공급이 포함됐다. 양사는 차세대 AMD 제품에 삼성전자 파운드리 서비스를 활용하는 방안도 논의하기로 했다.

이 MOU는 테일러 2공장 주문을 확인하는 발표가 아니다.

엔비디아용 물량의 제품별 배정과 주문 성격은 보도에서도 명확하지 않다. 같은 보도는 삼성전자가 차세대 맞춤형 HBM인 NVHBM 베이스 다이를 자체 공정으로 생산하는 방안을 검토하는 한편, 엔비디아가 메모리 업체들에 해당 다이를 TSMC($TSM)에서 생산하도록 요구했다고 전했다.

앞서 본지는 엔비디아 맞춤형 HBM 베이스 다이를 TSMC 3나노 공정으로 생산한다는 보도를 전했다. 이번 보도는 테일러 2공장 물량과 삼성전자 자체 공정 검토 내용을 함께 담았다.

삼성전자는 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 테일러 2공장 착공을 연내 시작하겠다는 계획을 밝혔다. 회사가 제시한 양산 목표 시점은 2030년이다.