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삼성전자, 엔비디아 맞춤형 HBM 베이스 다이에 TSMC 3나노 공정
김미래 기자
삼성전자가 엔비디아의 맞춤형 고대역폭메모리 NVHBM 베이스 다이를 TSMC 3나노 공정으로 생산하기로 했다는 보도가 나왔다. TSMC 생산능력이 부족할 경우에 대비해 자체 파운드리 생산 가능성도 검증하고 있다.
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삼성전자($005930)가 엔비디아($NVDA)의 맞춤형 고대역폭메모리 NVHBM 베이스 다이를 TSMC 3나노 공정으로 생산하기로 했다는 보도가 나왔다. 삼성전자는 자체 파운드리 생산 가능성도 검증하고 있다.
오데일리(Odaily)는 18일 시트리니 애널리스트 주칸(Jukan)이 X에 올린 글을 인용해 이같이 전했다. 주칸은 한국 언론 보도를 근거로 엔비디아가 삼성전자에 해당 공정을 요구했다고 밝혔다.
베이스 다이는 HBM에서 메모리 역할을 하는 코어 다이 아래에 놓이는 로직 칩이다. 엔비디아는 NVHBM을 공개하며 맞춤형 메모리 컨트롤러를 HBM 베이스 다이에 통합하는 구조를 설명했다.
오데일리는 삼성전자가 NVHBM 수요가 TSMC 생산능력을 넘어설 경우를 대비해 자체 파운드리에서 베이스 다이를 생산할 수 있는지 검증하고 있다고 전했다. 다만 보도에는 실제 생산 물량이나 일정이 담기지 않았다.
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