삼성이 고대역폭메모리(HBM) 기술을 3단계로 고도화해 최종적으로 D램을 연산칩 위에 직접 쌓는 지에이치비엠(zHBM) 구조로 발전시키는 로드맵을 제시했다는 보도가 나왔다.
월스트리트견문(华尔街见闻)은 삼성 D램 설계팀의 한상욱(Sangwook Han)이 최근 핫칩스(Hot Chips) 기술 콘퍼런스 발표에서 이 같은 HBM 진화 계획을 공개했다고 보도했다. 보도에 따르면 지에이치비엠은 GPU·TPU 같은 연산칩 위에 D램을 수직 적층해 기존 2.5D 인터포저를 없애는 구조다.
월스트리트견문은 삼성 측이 지에이치비엠에 대해 표준 HBM4E 대비 전력 소비를 70% 줄이고 D램 대역폭을 230% 높일 수 있다고 설명했다고 전했다. 보도는 또 D램 모듈당 100와트(W)의 전력을 절감하고 GPU에 8.3%의 추가 전력 여유를 제공할 수 있다는 설명도 함께 전했다.
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