TSMC($TSM)가 엔비디아($NVDA)의 요청을 받고 차세대 메모리인 3D D램 생산을 검토하고 있다는 보도가 나왔다.
디인포메이션(The Information)은 TSMC가 엔비디아의 요청에 따라 3D D램 생산을 살피고 있다고 보도했다. 생산에 착수하기로 결정한 단계는 아니다.
TSMC는 이미 엔비디아의 AI 프로세서를 생산하고 있다. 이번에 검토되는 방안은 프로세서에 더해 메모리 칩까지 직접 만드는 것이다.
3D D램은 기억 소자를 칩 내부에 수직으로 쌓는 구조다. 한 칩에 더 많은 데이터를 담기 위한 기술이다.
HBM도 적층 구조를 쓰지만, 쌓는 대상이 다르다. HBM은 여러 D램 칩을 쌓아 프로세서에 데이터를 빠르게 전달한다.
3D D램은 D램 칩 안의 기억 소자를 수직으로 배치하고, HBM은 여러 D램 칩을 적층한다. 두 기술은 모두 메모리와 관련 있지만 같은 기술은 아니다.
SK하이닉스(000660)와 TSMC는 2024년 4월 HBM4 개발과 차세대 패키징 기술 협력을 위한 양해각서를 맺었다. SK하이닉스가 발표문을 통해 공개한 내용이다.
기존 협력의 초점은 HBM4 맨 아래에 놓이는 베이스 다이다. SK하이닉스는 이 부품에 TSMC의 반도체 제조 공정을 적용할 계획이라고 설명했다.
따라서 TSMC의 3D D램 생산 검토는 기존 HBM4 협력과 구분된다. 이번 검토를 협력의 변경이나 종료로 해석할 근거는 없다.
SK하이닉스는 3D D램의 기술 방향과 상용화 과제를 제시한 바 있다. 당시 발열과 미세 연결, 공정 통합을 해결 과제로 들었다.
마이크론 테크놀로지($MU)도 3D D램 개발을 병행하고 있다. 업체별 개발 단계나 제품 사양은 공개된 내용만으로 비교하기 어렵다.
3D D램은 기억 소자를 수직으로 쌓는 방식인 만큼, 실제 제품에 적용하려면 적층 구조의 설계와 공정 통합이 필요하다. SK하이닉스가 공개한 기술 과제도 상용화 과정에서 해결해야 할 문제를 보여준다.
TSMC가 메모리 생산을 맡게 되면 기존 AI 프로세서 생산에 메모리 공급까지 더하는 구상이 된다. 다만 현재 보도된 내용은 검토 단계다.
디인포메이션 보도에는 TSMC의 생산 결정이나 투자액, 생산 목표가 제시되지 않았다. 양산 일정도 공개되지 않았다.
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