TSMC가 인공지능 반도체 수요 확대에 대응해 2027년부터 대만과 미국에서 3나노 공정 반도체 양산을 본격화하고, 일본에서도 같은 계열의 생산 거점을 순차적으로 늘리기로 했다.
17일 대만 언론 보도에 따르면 웨이저자 TSMC 회장은 전날 2026년 1분기 실적설명회에서 첨단 반도체 수요가 예상보다 빠르게 커지고 있다며 생산기지 확충 계획을 공개했다. 핵심은 3나노 공정을 여러 지역에서 동시에 확대하는 것이다. 대만 남부 타이난 과학단지의 신규 공장은 2027년 상반기 양산에 들어가고, 미국 애리조나 2공장은 3나노 공정을 적용해 2027년 하반기부터 생산을 시작할 예정이다. 일본 구마모토 2공장은 2028년 양산 개시가 목표다.
3나노는 회로 선폭을 줄여 전력 효율과 연산 성능을 끌어올린 첨단 공정이다. 스마트폰용 고성능 칩뿐 아니라 최근 급성장한 인공지능 서버용 반도체에 특히 중요한 기술로 꼽힌다. 웨이 회장은 생성형 인공지능에서 에이전트형 인공지능으로 산업 중심이 이동하면서 더 복잡하고 많은 반도체가 필요해졌다고 설명했다. 고객사 주문이 경쟁사로 넘어가지 않도록 선제적으로 생산능력을 확보하겠다는 뜻도 함께 밝혔다.
TSMC는 3나노 다음 단계인 2나노와 1.4나노 준비도 병행하고 있다. 회사 측은 2나노 공정 제품을 대만 신주와 가오슝 공장에서 2026년 4분기부터 양산할 계획이라고 밝혔다. 또 2세대 나노시트 트랜지스터 구조를 적용한 A14, 즉 1.4나노 공정은 2028년 양산을 목표로 제시했다. 이는 단순히 공장을 늘리는 차원을 넘어, 첨단 반도체 주도권을 장기간 유지하겠다는 전략으로 해석된다.
대규모 투자 계획도 이런 방향과 맞물려 있다. 웨이 회장은 지난 1월 인공지능 수요가 일시적 거품이 아니라고 강조하면서 2026년 자본지출을 520억∼560억달러로 제시했다. 이는 2025년 409억달러보다 27∼37% 늘어난 규모다. 시장에서는 TSMC가 미국과 일본까지 생산거점을 넓히는 배경에 고객사 공급망 다변화 요구와 지정학적 위험 분산 필요가 함께 작용한 것으로 본다. 이 같은 흐름은 앞으로 첨단 공정 경쟁을 더 치열하게 만들고, 글로벌 반도체 투자 지형도도 아시아 중심 단일 구조에서 다극 체제로 옮겨가게 할 가능성이 있다.
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