삼성전자, 2028년 하이NA EUV D램 양산 추진
삼성전자가 ASML과 차세대 12인치 포토마스크를 공동 개발하고 2028년 첨단 D램 제조에 하이NA EUV 도입을 추진한다.
삼성전자가 ASML과 차세대 12인치 포토마스크 개발을 추진하고 2028년까지 첨단 D램 제조에 하이NA EUV 도입을 추진한다.
삼성전자는 8일 ASML이 주도하는 대형 마스크 컨소시엄에 참여한다고 밝혔다. 이 컨소시엄은 기존 6인치 포토마스크를 12인치로 전환하기 위한 공동 연구와 표준 개발을 진행할 예정이다.
삼성전자는 12인치 포토마스크가 하이NA EUV의 생산성을 높이고 회로를 나눠 새긴 뒤 연결하는 작업의 제약을 줄여 칩 제조 비용을 낮출 수 있다고 설명했다. 삼성전자는 2028년까지 첨단 D램 제조에 하이NA EUV를 도입해 공정 단순화와 생산성 향상을 추진할 계획이다.

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