구글에서 선호하는 출처로 추가
장신커지, 241억위안 연구개발·108억위안 테스트기지 투자 추진
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장신커지가 기술 연구개발과 메모리 웨이퍼 후공정 테스트 기지 2기 사업에 각각 241억위안과 108억위안을 투자할 계획이라는 보도가 나왔다.
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장신커지(长鑫科技·688825)가 기술 연구개발 프로젝트에 241억위안, 메모리 웨이퍼 후공정 테스트 기지 2기 사업에 108억위안을 각각 투자할 계획이라는 보도가 나왔다.
오데일리는 장신커지가 두 사업을 추진한다고 보도했다. 공개된 사업 정보에서도 메모리 웨이퍼 후공정 테스트 기지 2기 사업이 중국 안후이성 허페이에서 추진 중인 것으로 나타났다.
장신커지는 DRAM 메모리 반도체를 개발·생산하는 기업이다.
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