40억 달러 인디애나 HBM 공장 2028년 가동

SK하이닉스(SK hynix·$SKHY)가 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 고대역폭메모리(HBM) 후공정·연구개발 시설 공사에 들어갔다. 40억 달러(약 5조5200억원) 이상이 투입되는 이 시설은 2028년 하반기 가동을 목표로 한다.

SK하이닉스는 27일 현지시간 퍼듀 리서치파크에서 인디애나 공장 기공식을 열었다고 밝혔다. 로이터는 이 시설이 AI 반도체 패키징·연구개발 시설이며 클린룸 운영이 2028년 하반기 시작될 예정이라고 전했다.

이번 프로젝트는 2024년 4월 처음 공개됐다. SK하이닉스는 당시 웨스트라피엣에 38억7000만 달러(약 5조3400억원)를 투자해 차세대 HBM용 첨단 패키징 생산기지와 연구개발 시설을 짓겠다고 발표했다.

미국 국립표준기술연구소(NIST)는 이 사업을 HBM 후공정 라인과 첨단 패키징 연구개발 테스트베드로 정리했다. 미국 상무부는 2024년 12월 이 프로젝트에 최대 4억5800만 달러(약 6320억원)의 직접 보조금과 최대 5억 달러(약 6900억원)의 대출을 확정했다.

공식 일정의 기준점은 2028년 하반기다. NIST는 해당 시설의 양산 시작 시점을 2028년 하반기로 적었고, SK하이닉스 웨스트라피엣 프로젝트 페이지도 건설은 2026년 상반기, 운영은 2028년 하반기로 표시하고 있다.

인디애나 공장은 SK하이닉스가 미국에 조성하는 첫 HBM 후공정·연구개발 거점이다.

HBM은 여러 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 높이는 고성능 메모리다. 그래픽처리장치(GPU)와 결합해 AI 학습·추론용 서버에 쓰이며, AI 반도체 공급망에서는 메모리 성능과 패키징 역량이 함께 경쟁 요소로 꼽힌다.

기술 축은 차세대 HBM이다. SK하이닉스는 2026년 6월 18일 12단 HBM4E 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 밝혔다.

회사는 HBM4E가 핀당 최대 16Gbps 속도를 구현했고, 전력 효율은 이전 세대보다 20% 이상 개선됐다고 설명했다. 고객사 샘플 출하는 제품 검증과 양산 준비 단계로 넘어가기 위한 절차다.

다만 일부 외신이 제기한 2029년 하반기 인디애나 HBM4E 대량 생산 일정은 공식 발표문에서 같은 형태로 확인되지 않는다. 회사와 미국 정부 문서에서 확인되는 일정은 인디애나 시설의 2028년 하반기 가동 또는 양산 시작이다.

미국 정부는 이 프로젝트를 자국 내 AI 반도체 공급망을 넓히는 사업으로 분류한다. NIST는 이 시설이 약 1000개의 신규 시설 일자리와 수백 개의 건설 일자리를 지원할 것으로 봤다.

SK하이닉스 자체 프로젝트 페이지는 직접·간접 일자리 7000개 창출을 제시했다. 반도체 제조시설은 생산 인력뿐 아니라 설비·건설·물류·협력업체 수요가 함께 움직이는 구조다.

지역 변수도 남아 있다. 웨스트라피엣 현지 매체 Based in Lafayette는 인디애나주 티피카누 순회법원이 38억7000만 달러 규모 SK하이닉스 프로젝트의 구역 변경 소송에서 영업비밀과 재무 정보, 부동산 거래 관련 문서에 보호명령을 내렸다고 보도했다.

현지 인허가와 정보 공개 범위는 공장 일정과 별개로 계속 다뤄질 사안이다. 웨스트라피엣시는 주민 관심이 높다며 SK하이닉스 프로젝트 전용 투명성 페이지를 운영하고 있다.

인디애나 공장 착공으로 SK하이닉스의 AI 메모리 전략은 제품 개발과 미국 현지 후공정 거점 확보를 함께 진행하는 단계로 옮겨갔다. 공식 일정상 이 시설은 2028년 하반기 운영을 시작할 예정이다.