삼성전자, HBM4 수요에 4나노 증설 검토 보도

삼성전자가 HBM4용 4나노 로직 베이스 다이 수요에 대응해 파운드리 생산능력 확대를 검토 중인 것으로 전해졌다.

머니투데이는 21일 삼성전자가 HBM4 수요 증가에 따라 4나노 공정 증설을 검토하고 있다고 보도했다. 삼성전자 HBM4는 10나노급 6세대 1c DRAM과 4나노 공정으로 생산한 로직 베이스 다이로 구성된다.

HBM4의 베이스 다이는 GPU와 AI 가속기 사이의 데이터 교환을 돕는 연결층이다. 삼성전자의 4나노 생산라인은 현재 가동률이 높은 상태이며, 생산능력의 절반 이상이 HBM4 베이스 다이에 배정된 것으로 전해졌다.

삼성전자는 HBM4E에도 4나노 베이스 다이를 적용하고, HBM5에는 GAA 구조의 2나노 공정을 적용하는 방안도 검토하고 있다.