마이크론, 1δ D램·G11 낸드 2027년 하반기 생산 확대 목표

김민준 기자 2026.10.24 19:30

마이크론 테크놀로지($MU)가 차세대 D램 공정 1δ와 400단 이상 낸드 G11의 생산 확대 시점을 2027년 하반기로 제시했다. 수직형 HBM과 3D DRAM 개발도 병행한다.

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클린룸에서 점검 중인 웨이퍼와 적층 메모리 구조 / TokenPost.ai

마이크론 테크놀로지($MU)가 차세대 D램 공정 1δ와 400단 이상 낸드 G11의 생산 확대 목표를 2027년 하반기로 제시했다. 수직형 HBM과 3D DRAM 개발도 병행한다.

스콧 드보어(Scott DeBoer) 마이크론 사장 겸 최고기술·제품책임자는 21일 기술 웹세미나에서 “메모리는 AI의 중심이며, 현재 시스템 성능과 역량을 제한하는 요소”라고 말했다. 마이크론은 웹세미나에서 D램·HBM·낸드 기술 로드맵을 공개했다.

1δ는 현재 양산 중인 1γ 다음 세대 D램 공정이다. 드보어는 1δ의 비트 집적도가 이전 세대보다 20%대 중반 개선될 것으로 제시했다. 같은 면적에 저장할 수 있는 데이터양을 늘리는 것으로, 마이크론은 이 공정을 HBM5와 수직형 HBM 등 AI용 제품에 맞춰 설계하고 있다.

낸드 차세대 제품인 G11은 G9보다 비트 집적도 2배, 입출력 속도 1.5배를 목표로 한다. 웨이퍼 두 장을 결합하는 본딩 기술을 적용하고 적층 수는 400단을 넘길 계획이다. 마이크론은 세부 사양을 출시 시점이 가까워지면 공개하겠다고 밝혔다.

HBM 개발 방향에는 표준형과 고객 맞춤형 제품에 더해 수직형 구조가 포함됐다. 수직형 HBM은 메모리를 연산 처리 장치 위에 직접 배치하는 방식이다. 드보어는 연결부 밀도와 열 관리가 기술 과제라고 설명했으며, 마이크론은 상용화 시점이나 확정 성능 수치를 제시하지 않았다.

D램 구조에서는 기존 6F² 기반 공정의 미세화를 이어가면서 3D DRAM도 개발한다. 드보어는 도입 시점을 비용과 제조 복잡성, 성능을 고려해 결정하겠다고 말했다.

이번 발표는 AI용 메모리의 집적도와 전송 속도, 배치 구조를 함께 개선하려는 마이크론의 기술 계획을 담았다. 삼성전자와 SK하이닉스도 AI 메모리와 고적층 낸드 기술을 공개한 바 있어 관련 업계의 개발 경쟁이 이어지고 있다. 삼성전자가 400단 이상 본딩 낸드와 연산장치 위에 메모리를 쌓는 기술 개념을 공개한 내용도 앞서 보도됐다. 마이크론은 G11의 세부 사양을 2027년 출시 시점에 가까워져 공개할 예정이다.