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EUV 10조~20조원대 투자 보도…삼성전자·SK하이닉스 2027년 인도
김민준 기자
삼성전자($005930)와 SK하이닉스($000660)가 ASML($ASML)의 EUV 장비를 2027년부터 순차적으로 인도받는다는 보도가 나왔다. SK하이닉스가 공시한 구매액은 약 11조9500억원이다.
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삼성전자($005930)와 SK하이닉스($000660)가 ASML($ASML)의 극자외선(EUV) 노광장비 확보에 각각 10조~20조원대를 투입하고, 2027년부터 장비를 순차적으로 인도받을 예정이라는 보도가 나왔다.
조선비즈는 8일 양사의 발주 규모와 인도 일정을 보도했다. 양사가 각각 10조~20조원대를 투입한다는 금액은 보도된 규모로, 공시로 확인된 SK하이닉스의 구매액과는 구분해야 한다.
SK하이닉스는 지난 3월 ASML EUV 장비 약 11조9500억원어치를 구매한다고 공시했다. 본지도 당시 주문 규모와 장비 인도 기한을 전했다.
핵심 장비의 납기는 종전보다 최대 두 배 길어진 것으로 전해졌다. 두 회사는 발주 시점을 앞당기는 방안과 추가 주문을 검토하고 있다.
삼성전자는 평택캠퍼스 5라인(P5)에 투입할 노광장비 발주를 진행한 것으로 전해졌다. 추가 주문은 확정 물량이 아니라 검토·예정 단계다.
업계에서는 P5 1단계 클린룸이 2027년 상반기에 마무리되고 장비 반입이 시작될 것으로 예상한다. 장비 반입 시점은 클린룸 완공 일정과 맞물려 있다.
ASML은 10월 14일 발표한 3분기 실적 자료에서 현재 계획한 2027~2028년 공급량으로 고객 수요를 모두 충족하기 어려울 것으로 예상했다. 장비 공급 부족 전망은 메모리 업체들의 EUV 확보 경쟁이 이어지는 배경이다.
회사는 저개구수 EUV와 심자외선(DUV) 이머전 장비의 2027년 생산능력을 2026년보다 30% 늘릴 계획이라고 밝혔다. 2028년 추가 확대는 검토 중이다.
EUV는 13.5나노미터 파장의 빛으로 반도체 회로를 웨이퍼에 새기는 노광 기술이다. 회로 패턴을 여러 번 나눠 찍는 공정을 줄이는 데 쓰인다.
10나노급 6세대인 1c D램에서는 EUV를 적용하는 공정 층이 늘고 있다. 회로 간격이 좁아지는 첨단 D램 생산에서는 장비의 확보와 생산라인 반입 시점이 중요해진다.
이번에 거론된 주문은 기존 EUV 장비 확보와 관련한 보도다. 차세대 고개구수(High-NA) EUV의 양산 적용 계획과는 구분된다.
삼성전자는 지난 9월 ASML과 협력을 확대하며 고개구수 EUV를 2028년까지 D램 양산에 도입하겠다는 목표를 제시했다. 삼성전자의 2028년 D램 적용 계획을 본지도 보도했다.
후공정 장비에도 주문이 쌓이고 있다. 한미반도체($042700)와 엠코(Amkor) 등 업체에는 2~3년치 주문이 밀려 있으며, 증산 대상 장비에는 열압착(TC) 본더가 포함된 것으로 전해졌다.
TC 본더는 열과 압력으로 반도체 칩을 접합하는 장비다. 노광장비가 웨이퍼에 회로를 형성하는 전공정에 쓰인다면, TC 본더는 칩을 연결하는 후공정에 쓰인다.
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