구글에서 선호하는 출처로 추가
징역 5년, 삼성 D램 유출 전 직원…1심보다 2년 감형
김미래 기자
재판부는 전씨가 개발에 직접 관여하지 않은 점 등을 감형 사유로 들었다. 별도 조사에서는 삼성전자·SK하이닉스 출신 경력 기술인력 최소 27명이 CXMT로 옮긴 것으로 파악됐다.
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삼성전자 D램 공정기술 유출에 가담한 전 직원 전모 씨가 항소심에서 징역 5년을 선고받아 1심보다 형량이 2년 줄었다.
서울고법 형사3부는 2026년 10월 22일 산업기술보호법 위반 등 혐의로 기소된 전씨에게 징역 5년을 선고했다. 한국경제는 항소심 판결 내용을 보도했다.
재판부는 삼성전자에 회복하기 어려운 피해가 발생했고 국가 산업 경쟁력에도 위협이 생겼다고 판단했다. 다만 전씨가 개발 업무에 직접 관여하지 않았고 관련 사건 재판에서 증언한 점, 항소심에서 혐의를 인정하고 반성한 점을 감형 사유로 들었다.
전씨는 1987년부터 2015년까지 삼성전자($005930)에서 일한 뒤 2016년 8월 중국 메모리업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)에 입사했다.
재판부는 전씨가 삼성전자에서 유출된 공정 자료를 취합하고 이를 토대로 투자비를 산정하는 역할을 맡았다고 판단했다. 전씨가 개발에 직접 관여하지 않았다는 점과 기술 유출에 가담했다는 항소심 판단은 별개의 내용이다.
사건에서 다뤄진 기술은 18나노급 D램 공정기술이다. D램은 스마트폰과 컴퓨터, 서버에서 데이터를 임시 저장하는 반도체다.
재판에서 언급된 공정 레시피 계획(PRP)은 D램 제조에 필요한 약 600단계의 순서와 설비, 조건값을 담은 자료다. 어떤 설비를 어떤 순서로 사용하고 단계별 조건을 어떻게 설정할지 정리한다.
검찰은 삼성전자가 해당 기술을 개발하는 데 5년간 1조원 이상을 들였고, 이 기술이 창신메모리테크놀로지로 넘어간 것으로 봤다. 관련 재판 보도는 매일경제가 전했다.
검찰이 파악한 전씨의 보수는 스톡옵션을 포함해 6년간 약 29억원이다. 이 금액은 전씨가 받은 보수로, 삼성전자의 확정 손해액을 뜻하지 않는다.
검찰은 전씨를 포함한 관련자 10명을 국가핵심기술 유출 혐의 등으로 재판에 넘겼다. 전씨 항소심에서 인정된 역할과 감형 사유를 다른 피고인에게 그대로 적용할 수는 없으며, 각자의 혐의와 재판 판단은 별도로 다뤄진다.
이와 별도로 최수진 국민의힘 의원실이 공개한 조사에서는 삼성전자와 SK하이닉스($000660) 출신 경력 기술인력 최소 27명이 창신메모리테크놀로지로 옮긴 것으로 파악됐다. AP신문이 의원실 조사 내용을 보도했다.
이직자 최소 27명과 이번 사건에서 재판에 넘겨진 관련자 10명은 서로 다른 집계다. 27명 모두가 기술 유출 사건에 연루되거나 기소됐다는 뜻은 아니다.
카운터포인트리서치(Counterpoint Research)의 2026년 2분기 글로벌 D램 매출 점유율 집계에서 삼성전자는 38%, SK하이닉스는 25%, 창신메모리테크놀로지는 10%를 기록했다. 본지는 앞서 같은 집계에서 업체별 D램 매출 점유율을 전했다.
같은 집계에서 창신메모리테크놀로지의 점유율은 1년 전 4%에서 10%로 높아졌다. 이 수치가 이번 판결로 점유율이 늘었다는 뜻은 아니며, 판결은 점유율 변화의 원인을 특정하지 않았다.
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