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HBM3 수율 25%…중국 CXMT, TSV 격차 드러나

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중국 최대 D램 업체 CXMT의 HBM3 시험 생산 초기 수율이 25%에 머문 것으로 전해졌다. SK하이닉스의 90% 이상 수율과 비교해 기술 격차가 부각됐다.

 HBM 적층 웨이퍼를 검사하는 생산라인 / TokenPost.ai (mono)

HBM 적층 웨이퍼를 검사하는 생산라인 / TokenPost.ai (mono)

중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)의 HBM3 시험 생산 초기 수율이 25%에 머문 것으로 전해졌다. SK하이닉스의 90% 이상 수율과 비교해 기술 격차가 부각됐다.

조선비즈는 9일 CXMT의 HBM3 8단 적층 제품 수율이 전공정에서 약 30%, 후공정 이후 최종 양품 기준으로 약 25%라고 보도했다. 조선비즈는 CXMT가 생산한 소량의 HBM 샘플을 알리바바 T-헤드와 캠브리콘 등 중국 기업에 공급하며 수율 개선을 이어가고 있다고 전했다.

조선비즈는 HBM용 D램 다이가 일반 제품보다 크고 전기적 사양이 까다로운 데다, 실리콘관통전극(TSV)과 적층·본딩 공정에서 불량이 발생한다고 보도했다. 반도체 분석업체 노마드세미는 CXMT의 다이당 TSV가 약 3000개로, 삼성전자 HBM2의 5000개 이상과 SK하이닉스 HBM3의 8000개 이상보다 적다고 분석했다.

본 기사는 시장 데이터 및 차트 분석을 바탕으로 작성되었으며, 특정 종목에 대한 투자 권유가 아닙니다.
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