월 1만5000장, 삼성 4나노 절반 HBM4 투입 보도

삼성전자가 평택사업장 4나노 파운드리 생산능력의 50~60%를 HBM4 베이스 다이에 배정했다는 보도가 나왔다. 월 3만장 규모 생산능력 가운데 약 1만5000장이 HBM4용으로 투입되는 셈이다.

디지타임스는 삼성전자가 평택사업장 2·3라인의 S5·S6 공정에서 생산하는 4나노 웨이퍼 중 절반 이상을 HBM4 베이스 다이에 배정했다고 보도했다.

HBM4 베이스 다이는 여러 개의 메모리 칩을 쌓은 HBM 구조의 가장 아래에 놓이는 로직 칩이다. 메모리와 외부 연산칩 사이의 통신과 메모리 제어를 담당한다.

HBM4에서는 베이스 다이를 메모리 공정이 아닌 로직 파운드리 공정에서 생산한다. 이에 따라 HBM4 수요 증가는 메모리 생산라인뿐 아니라 첨단 파운드리 공정의 배정에도 영향을 줄 수 있다.

삼성전자는 HBM4에 4나노 로직 베이스 다이를 적용한다고 공식 발표했다. 삼성전자는 HBM4가 1c D램과 4나노 로직 공정을 기반으로 하며, 차세대 인공지능 데이터센터를 겨냥한 제품이라고 설명했다. 삼성전자의 HBM4는 4나노 로직 베이스 다이를 적용한다

이번 배정은 삼성전자가 메모리와 파운드리 역량을 한 회사 안에서 연계해 HBM4 공급을 확대하는 방식으로 풀이된다. 베이스 다이의 설계와 생산을 자체 파운드리에서 진행하면 메모리 제품과 로직 칩 개발의 연계가 가능하다.

반면 외부 파운드리 고객사 입장에서는 같은 4나노 공정에서 이용할 수 있는 생산 여력이 줄어들 수 있다. 특히 생산능력의 절반 이상이 단일 제품군에 배정될 경우 4나노 공정을 필요로 하는 다른 설계사의 물량과 납기에 영향을 줄 가능성이 있다.

다만 고객사별 실제 배정량이나 주문 조정 여부는 공개되지 않았다. 보도된 50~60% 배정 비중이 언제까지 이어질지도 확인되지 않았다.

HBM4는 인공지능 가속기에 필요한 메모리 대역폭을 높인 차세대 고대역폭 메모리다. AI 연산량이 커질수록 연산칩과 메모리 사이에서 데이터를 빠르게 이동시키는 베이스 다이의 역할도 중요해진다.

삼성전자는 HBM4 상용 제품에 4나노 베이스 다이를 적용하고 양산과 출하를 시작했다고 밝혔다. HBM4를 구성하는 메모리 칩과 베이스 다이를 함께 공급할 수 있다는 점은 삼성전자의 차별화 요소로 제시된다.

삼성전자 파운드리의 4나노 생산 여력이 HBM4 베이스 다이와 AI 추론 칩 수요로 내년 물량까지 빠르게 소진되고 있다는 본지 보도에서도 HBM4 수요가 파운드리 생산능력과 맞물리는 구조가 소개됐다.

HBM4 공급 확대는 메모리 업체 간 경쟁뿐 아니라 첨단 공정 확보 경쟁에도 영향을 미칠 수 있다. 파운드리 생산능력을 HBM4에 더 많이 배정할수록 삼성전자 내부 메모리 사업과 파운드리 사업 사이의 생산자원 조정도 중요해진다.

트렌드포스도 관련 보도에서 평택 생산시설의 4나노 월 생산능력을 3만장으로 전했다. HBM4 베이스 다이에 절반 이상이 배정될 경우 다른 4나노 고객사가 사용할 수 있는 물량이 제한될 수 있다는 분석이다. 평택 4나노 생산능력 관련 보도

이번 사안은 AI 데이터센터 확대가 메모리 수요를 넘어 로직 파운드리 생산능력의 배정에도 영향을 주고 있음을 보여준다. 삼성전자의 4나노 생산능력 가운데 HBM4 베이스 다이 비중이 실제로 50~60% 수준인지와 배정 기간은 추가 확인이 필요하다.